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高頻記憶體如何重塑2026半導體版圖 (2026.02.24)
過去兩年間，我們見證了AI數據中心對大容量記憶體近乎瘋狂的渴求。這種需求不僅推升了SK海力士與三星的獲利表現，甚至引發了全球記憶體生產節奏的劇烈震盪。 |
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三星正式出貨商用HBM4 採用12層堆疊技術 (2026.02.12)
三星電子正式量產商用HBM4產品，並完成業界首次出貨。三星憑藉其第六代10奈米級DRAM製程（1c），實現穩定良率，無需額外重新設計即順利完成。
三星HBM4提供穩定的11.7Gbps的處理速度，相較業界標準8Gbps提升約46% |
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三星正式出貨商用HBM4 採用12層堆疊技術 (2026.02.12)
三星電子正式量產商用HBM4產品，並完成業界首次出貨。三星憑藉其第六代10奈米級DRAM製程（1c），實現穩定良率，無需額外重新設計即順利完成。
(圖一)三星正式出貨商用HBM4
三星HBM4提供穩定的11.7Gbps的處理速度，相較業界標準8Gbps提升約46% |
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DRAM供需缺口有解 估2027年供給量可望上修 (2026.01.19)
基於2025年下半年開始，ASIC和AI推論應用發展，分別帶動HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（動態隨機存取記憶體）供需缺口持續擴大，並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能，期待能在2027年上修供給量外，也不忘持續開發新品 |
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DRAM供需缺口有解 估2027年供給量可望上修 (2026.01.19)
基於2025年下半年開始，ASIC和AI推論應用發展，分別帶動HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（動態隨機存取記憶體）供需缺口持續擴大，並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能，期待能在2027年上修供給量外，也不忘持續開發新品 |
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SoIC引領後摩爾定律時代：重塑晶片計算架構的關鍵力量 (2025.12.09)
SoIC不僅象徵後摩爾定律時代的技術方向，也代表台灣在全球技術競局中持續領先的關鍵力量。當全球算力需求加速成長，SoIC 將是推動未來十年半導體產業變革的核心引擎 |
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中國正嘗試以DDR5替代傳統由HBM主導的AI記憶體市場 (2025.11.19)
中國在記憶體領域正在悄然發動一場變革。據報導，部分中國記憶體製造商正積極推進 DDR5 在AI加速器中的應用，並期望以 DDR5 替代傳統由HBM主導的市場。
在傳統架構中，HBM 由於其極高的記憶體頻寬與低功耗特性，一直是大型 AI 推理與訓練加速器的首選 |
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中國正嘗試以DDR5替代傳統由HBM主導的AI記憶體市場 (2025.11.19)
中國在記憶體領域正在悄然發動一場變革。據報導，部分中國記憶體製造商正積極推進 DDR5 在AI加速器中的應用，並期望以 DDR5 替代傳統由HBM主導的市場。
(圖一)中國正嘗試以DDR5替代傳統由HBM主導的AI記憶體市場
在傳統架構中，HBM 由於其極高的記憶體頻寬與低功耗特性，一直是大型 AI 推理與訓練加速器的首選 |
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新思科技與台積電合作帶動下一波AI與多晶粒創新 (2025.11.18)
新思科技（Synopsys）擴大與台積電（TSMC）在先進製程、封裝與設計賦能（design enablement）上的合作，藉由完整的 EDA 工具、AI 驅動設計平台以及廣泛的基礎與介面 IP，協助全球半導體客戶加速 AI 與多晶粒晶片的創新與量產 |
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新思科技與台積電合作帶動下一波AI與多晶粒創新 (2025.11.18)
新思科技（Synopsys）擴大與台積電（TSMC）在先進製程、封裝與設計賦能（design enablement）上的合作，藉由完整的 EDA 工具、AI 驅動設計平台以及廣泛的基礎與介面 IP，協助全球半導體客戶加速 AI 與多晶粒晶片的創新與量產 |
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台灣機械設備業挺進先進封裝生態鏈 (2025.11.12)
對於台灣機械設備與材料產業而言，這既是被動應對全球變動的必要策略，也是主動從「設備／材料出口」轉型為「高階封裝整合生態系統供應商」的千載機會。 |
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CMP Slurry市場迎成長動能 半導體製程驅動材料新契機 (2025.11.04)
隨著半導體製程技術不斷朝向更細、更複雜的節點演進，對高性能晶圓拋光材料的需求正快速攀升。根據最新市場報告顯示，化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）Slurry 市場規模預計至 2035 年將達約 61 億美元，年複合成長率約為 5.7% |
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CMP Slurry市場迎成長動能 半導體製程驅動材料新契機 (2025.11.04)
隨著半導體製程技術不斷朝向更細、更複雜的節點演進，對高性能晶圓拋光材料的需求正快速攀升。根據最新市場報告顯示，化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）Slurry 市場規模預計至 2035 年將達約 61 億美元，年複合成長率約為 5.7% |
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3D晶片新型「雙面PI-Ni」TSV技術 實現超低漏電 (2025.10.27)
3D晶片整合的關鍵技術「矽穿孔」(TSV) 有了新的突破，《Microsystems & Nanoengineering》期刊日前發布一項研究，揭示一種新型「雙面PI-Ni」TSV製程。此技術透過創新的雙面加工流程 |
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3D晶片新型「雙面PI-Ni」TSV技術 實現超低漏電 (2025.10.27)
3D晶片整合的關鍵技術「矽穿孔」(TSV) 有了新的突破，《Microsystems & Nanoengineering》期刊日前發布一項研究，揭示一種新型「雙面PI-Ni」TSV製程。此技術透過創新的雙面加工流程 |
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邊緣AI拚整合 工研院秀創新異質封裝與記憶體技術 (2025.09.14)
AI運算有兩大路線，一個大型雲端服務商搶佔的生成式AI，另一個則是在終端裝置上實現的邊緣AI，而後者將會滲透入百工百業，是AI技術影響層面最大的技術。而在今年的 SEMICON Taiwan展中 |
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台灣供應鏈突圍與全球先進封裝競局 (2025.09.08)
本文聚焦台灣供應鏈如何化解卡點，並延伸至HBM4／HBM4e技術節點與美日韓擴產後的全球競局。 |
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封裝決勝未來：半導體的黃金引擎 (2025.09.08)
先進封裝突破製程微縮瓶頸，透過異質整合與高密度互連，成為推動多項應用邁向新世代的關鍵推手。 |
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以先進封裝重新定義運算效能 (2025.09.04)
在過去近六十年的時間裡，半導體產業的發展軌跡幾乎完全由摩爾定律所定義，即積體電路上可容納的電晶體數目，約每18至24個月便會增加一倍，帶來處理器效能的翻倍成長與成本的相對下降 |
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AI熱潮推升HBM需求 SK海力士登上全球DRAM收入冠軍 (2025.09.03)
AI運算浪潮持續升溫，高頻寬記憶體（HBM）也成為推動產業轉型的關鍵核心。根據最新市場調查，HBM 在資料中心 AI 伺服器與先進 GPU 應用需求的帶動下，出現前所未有的成長 |
