物聯網（IoT）商機無限。針對物聯網低功耗晶片需求，國外晶圓代工大廠GlobalFoundries（格羅方德）推出了22FDX平台，其性能表現與FinFET（鰭式場效電晶體）類似，成本與28nm（奈米）接近，且擁有超低耗電，以及超低漏電等優點。
Globalfoundries技術長Gary Patton表示，FinFET雖是一個不錯的選擇，但由於設計複雜，加上成本較高，且須多重曝光，對於務聯網相關裝置廠商而言負擔過重；這一類的廠商的要求在成本、功耗、性能表現上只須達到平衡即可。所以對於他們而言，22FDX會是一個較好的選擇。
Patton說明，22FDX為一項FD-SOI的技術，只需要28nm FinFET製程的成本，即可得到相同的效能。成本低廉且功耗需求小於0.4V，漏電值約只有1pA；其是由軟體控制的基體偏壓（Body-bias），可在單一晶片上整合射頻（RF）功能，節能省電，對於物聯網裝置而言是相當合適的選擇。
據了解，22FDX是將Oxide Layer（薄型氧化物質層）與Silicon Layer（矽層）堆疊在一起，如此一來，即可改善Short Channel（短通道效應）。
Patton進一步表示，在2016年9月時，該公司也宣布將eMRAM技術加入22FDX平台當中，用以提升晶片寫入速度，以及提高續航能力。未來預計也會將eMRAM推展至FinFET製程當中。
Patton認為，eMRAM技術可以提升視覺處理還有3D繪圖能力。為了推行此一技術，該公司日前也建立起相關的生態圈－FDXcelerator。此一生態圈中有分別來自EDA、IP、ASIC等領域的合作伙伴，且近期預計還會增加六至七個盟友。
另一方面，GlobalFoundries在14奈米FinFET製程進入量產之後，隨即宣布下一階段將直接投入7奈米製程的相關研發，直接跳過了10nm製程。對此，Patton說明，10奈米製程可提供給客戶的價值並不高。10奈米製程只能算是半個節點，而14奈米直接轉入7奈米可以提供客戶整個節點的擴充。
據悉，相對於14奈米，7nm製程邏輯密度可以達到17M gates/mm2以上，且性能表現可大於3.5GHz A72，也就是說比14nm更多了30％。
