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搜尋「高頻寬記憶體」,共 167

AI資料中心持續擴建,全球記憶體供應緊張已從HBM擴散至一般DRAM與NAND,並開始影響手機、PC產品設計。路透指出,部分中小型手機與筆電業者正為可能延續至2027年甚至更久的記憶體短缺預做準備,除了提前下單,也開始修改主機板與產品規格,

中國AI晶片自主化正進入更困難的下半場。華為、寒武紀、沐曦等業者持續推出國產AI加速器,逐步降低對NVIDIA依賴,但真正限制系統效能與量產規模的關鍵,已由單純GPU/NPU設計能力轉向HBM高頻寬記憶體。HBM也因此成為中國建立完整AI算

半導體製造面臨功耗與異質整合的嚴峻挑戰。科林研發(Lam Research)在 2026 會計年度中,科林研發全球營收達 232 億美元,研發投資規模達 24 億美元,展現其在製程技術創新的深厚底蘊。科林研發台灣區總經理郭偉毅博士於 SEM

AI晶片供應鏈的在地化,正從GPU與伺服器進一步延伸至高頻寬記憶體(HBM)。SK hynix於美國印第安納州West Lafayette正式啟動先進封裝基地,投資逾40億美元,規畫2029年下半年開始量產下一代HBM,並且明確將HBM4E

AI運算需求正快速成長,對資料中心基礎設施的要求也隨之提升。要滿足此需求,必須全方位進行創新:CPU、GPU、網路技術、軟體、電力與散熱技術皆需在機櫃與資料中心層級高效協同運作。提升能源效率有助於在不增加功耗的前提下,提供更強大的AI效能,

在半導體產業過去數十年的發展歷程中,摩爾定律始終是算力競賽的最高指引——只要縮小電晶體尺寸,就能換取更高的效能與更低的能耗。然而,隨著先進製程邁向 2 奈米、進入環繞式閘極(GAA)架構與晶背供電(如 A16)的極限領域,物理邊際效益顯著遞

生成式AI與大型資料中心持續推升GPU、AI ASIC及高頻寬記憶體(HBM)需求,全球半導體競爭焦點正由先進製程延伸至先進封裝。近期台積電擴大部分CoWoS製程委外,加上SK海力士加速美國與韓國先進封裝投資,顯示AI晶片產業面臨的關鍵瓶頸

AI伺服器持續推升高頻寬記憶體需求,2026年HBM市場正式由HBM3E跨入HBM4世代,產業成長紅利開始由三星電子、SK海力士等記憶體大廠,向韓國半導體設備供應鏈快速擴散。隨著HBM4進入量產,以及12層、16層堆疊技術持續演進,TC B

因前沿AI模型訓練算力每年成長4~5倍,能源供給與資料搬移成本已成為效能擴張的關鍵瓶頸,促使AI效能競爭從單一晶片的效能比拚,轉向設計、記憶與互連協同突破的系統整合工程。今年9月登場的SEMICON Taiwan 2026也預告,將針對3大

台股近期連續兩個交易日出現明顯回檔,加權指數大幅下挫,AI概念股、半導體與電子權值股成為重災區,市場投資氣氛快速轉趨保守。此次跌勢並非單一事件所造成,而是全球科技股修正、資金面轉向及市場情緒降溫等多重因素交互影響,使台股承受龐大賣壓。 首先

人工智能伺服器需求持續成長,帶動高頻寬記憶體市場快速擴張,也進一步改變全球DRAM產業的供需結構。由於HBM生產需要大量高階DRAM晶圓產能,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK hynix)與美光(Micr

市場研究機構TechInsights日前發表2026年《全球先進封裝展望報告(Advanced Packaging Outlook Report)》報告,指出2026年下半年將是「光電共封裝(CPO)」走向商業化主流的關鍵時間點。 Tech

隨著AI軟硬體不斷演進,記憶體的重要性如今已幾乎與算力並列,成為最重要的戰略資產。

根據市調機構GlobalData發布的2026年第二季亞太地區(APAC)市值調查,AI基礎設施建設已成亞太區最主要的營收引擎。其中,晶圓代工龍頭TSMC市值穩健成108%,是亞太區首家市值突破2兆美元的公司。 在記憶體超級週期的推動下,硬

為滿足DRAM與先進封裝技術創新需求,應用材料公司近期推出一系列晶片製造新系統,以支援製造新一代AI晶片所需的3D架構。包含專為DRAM晶圓廠打造的磊晶(Epitaxy)系統、化學機械平坦化(CMP)與沉積系統、電子束系統(eBeam),挑