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锁定行动装置需求 提供高效能Flash解决方案
专访华邦电子快闪记忆体产品中心协理黄宜文

【作者: 鄭妤君】2003年09月05日 星期五

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在各种可携式电子产品中的应用日益广泛的快闪记忆体(Flash),虽然在2001、2002年因全球性的景气衰退而需求下降,市场一度出现供给过剩的大跌价情况,但随着2003年景气缓步回升与行动电话、数位相机等设备的出货增加,快闪记忆体又成为瞩目焦点。根据市调机构Dataquest的预测数据,2003年快闪记忆体市场可望有14%的成长,2004年成长率更可攀升至32%,达到120亿美元以上的规模;为抢攻此一潜力无穷的市场商机,国内记忆体大厂华邦电子亦致力于相关技术与产品的研发,并计划在9月以「Mobile Electronics Solution」为主题举行大型产品发表会,针对可携式电子产品之应用提出一系列的快闪记忆体解决方案。


华邦电子快闪记忆体产品中心协理黄宜文表示,华邦的快闪记忆产品皆属市场需求量较大的NOR规格,目前主推的两条产品线分别为密度较低的Winstack与高密度的ACT1 。 Winstack记忆容量为4M~64M,可应用在个人电脑、笔记型电脑、平板式电脑等资讯类产品与消费性电子产品如MP3 Player、数位相机、PDA、Settopbox、DVD Player/Recorder等;采用与日本Sharp合作开发之Advanced Contactless Technology技术生产的ACT1容量则在32M~512M,锁定手机与高阶可携式设备应用市场。


黄宜文指出,Winstack技术完全为华邦自行开发,已在2003下半年开始小量出货,而因为越来越多行动装置具备无线通讯功能,华邦在9月份的产品发表会上将推广一系列以Winstack产品搭配DSP、SDRAM,并以SiP(系统级封装)技术整合为单一元件的解决方案,提供行动装置制造业者小体积与低耗电量的选择。在ACT1产品线部分,则预计2004年可进入正式生产,未来将在制程成本控制与记忆体读写速率的提升等方面持续精进,同时在传统3V技术之外开发耗电量更低的1.8V产品。


目前华邦快闪记忆体主要是以0.4微米的6吋晶圆制程生产,亦有少量0.18微米8吋晶圆产品的出货,预计在2006年迈进12吋技术;而在市场需求量逐渐提升的NAND规格的快闪记忆体部分,黄宜文表示,由于NAND属于独占市场,目前全球相关技术皆掌握在Samsung、Toshiba等大厂手中,​​其他记忆体业者要跨入该市场的困难度较高,台湾现在生产快闪记忆体的两大业者华邦与旺宏,也都只有NOR产品的供应,若要自行开发NAND技术,恐怕需要较长时间,而事实上NAND技术门槛虽高,但不同厂商之间相同产品的取代性较高,反观NOR产品因不同厂商技术区别性较强,仍有很大的发展空间,华邦的目标即是在电子产品制造重心的台湾与亚洲市场,逐渐取代欧美业者扩大NOR快闪记忆体市占率,也有信心能很快达成此一目标,成为行动装置记忆体的领导业者。


《图一 华邦电子闪存产品中心协理黄宜文》
《图一 华邦电子闪存产品中心协理黄宜文》
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