基於现今人工智慧（AI）时代需要更节能的运算，尤其是在晶片布线和堆叠方式对於效能和能耗至关重要。应用材料公司今（9）日於美国SEMICON WEST 2024展会，发表两项新材料工程创新技术，旨在将铜互联电网布线微缩到2奈米及以下的逻辑节点，以协助晶片制造商扩展到埃米时代，来提高电脑系统的每瓦效能。

图一 : 应材Endura Copper Barrier Seed IMS( 铜阻障层晶种整合性材料解决方案) 与 Volta Ruthenium CVD（化学气相沉积??金属系统）

据悉，目前最先进的逻辑晶片中共包含数百亿个电晶体，经由长度超过96.5公里的微型铜线连接起来，数十年来低介电常数和铜一直是业界的主力布线组合。但随着产业规模微缩到2奈米及以下，更薄的介电材料会使晶片的机械结构强度变弱；而变窄的铜线，则会导致电阻急剧增加，进而降低晶片效能并增加能耗。

应材的Black Diamond材料数十年来便一直引领业界，利用低介电常数（或称「k 值」）薄膜包裹铜线，并强化晶片的3D堆叠结构强度。藉此减少累积电荷、互连电网电阻，以免徒增功耗并导致电子讯号间彼此干扰。
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