賦能未來，勇往直前：SiC MOSFET問世10周年的思索

在SiC MOSFET問世10周年之際，本文作者回顧科銳公司十年歷史所經歷的關鍵時刻，並且認為未來的發展會比過去曾經歷的增長還要巨大，因此為下一步即將增長的產業曲線提出卓見。

圖一 : 科銳聯合創始人兼首席技術官John Palmour 博士

處於像我這樣的位置，能夠有幸參與到一個改變行業的重要產品的問世，感覺就是一生一遇的機會。所以通過回顧我們公司歷史十年前的關鍵時刻，發現我所能看到的，對於今天Wolfspeed將邁向何方，也會顯得特別地有意義。

在2011年，在經過了將近二十年的研發之後，科銳推出了全球首款SiC MOSFET。儘管業界先前曾十分懷疑這是否可能實現。在成功發佈之前，普遍的觀點是SiC功率電晶體是不可能實現的，因為太多的材料缺陷使其不可行。先前普遍的看法是不可能開發出可用的SiC MOSFET，因為SiC的氧化物絕緣體是不可靠的。我們的友商試圖嘗試用JFET和BJT等其他器件來繞開這個問題，而我們則始終堅持自己的信仰。因為我們知道MOSFET才是客戶最終想要的。我們堅信，我們可以通過採用SiC，開發出市面上最為強大和可靠的半導體。
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