台塑攜大賽璐攻半導體材料　光阻稀釋劑國產化瞄準先進製程

AI、高效能運算（HPC）與先進製程持續推升電子級化學品需求，台塑進一步將石化原料優勢延伸至半導體關鍵材料。台塑宣布與日本大賽璐（Daicel Corporation）合資成立「台塑大賽璐精密化學」，鎖定半導體製程使用的電子級光阻稀釋劑，預計於高雄仁武建廠，2028年底正式投產，強化台灣半導體材料在地供應能力。

新公司資本額規劃15億元，初期實收資本額8億元，由台塑與大賽璐各出資4億元、持股各50%。這項合作技術核心是在製程中不可或缺的高純度丙二醇甲醚（PGME）與丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）光阻稀釋劑。

圖一 : 台塑與日本大賽璐合資成立「台塑大賽璐精密化學」，鎖定半導體製程使用的電子級光阻稀釋劑，預計於高雄仁武建廠，2028年底正式投產。

在晶圓微影製程中，光阻稀釋劑成為先進微影關鍵材料。它負責調整光阻液黏度與濃度，使感光材料能透過旋塗形成均勻薄膜，同時可應用於晶圓邊緣光阻去除（Edge Bead Removal, EBR）及預潤濕等程序。隨著線寬持續微縮，材料中的金屬離子、微粒與水分控制愈趨嚴格，因此「電子級高純度」及批次穩定性已成為產品進入先進晶圓廠的重要門檻。

此次合作的技術價值，在於結合台塑的原料採購、土地、公用設施及量產管理能力，以及大賽璐長期累積的高純度溶劑製造技術。大賽璐自1979年投入PGME、PGMEA生產，並已布局適用於EUV光阻的高階產品；新公司若能將相關純化、品質控制及量產能力導入台灣，可望縮短供應鏈並提高材料自主性。

這項投資值得觀察的另一方向是從石化原料走向半導體高值材料，是台塑正把既有石化產業的「規模製造」能力轉向半導體要求的「超高純度製造」。台塑先前已透過與日本企業合作切入電子級氫氟酸等材料，如今再加入光阻稀釋劑，使半導體化學品產品線進一步向微影製程延伸。

依台塑估算，2025年台灣電子級光阻稀釋劑需求約11.3萬噸，隨AI、HPC、HBM及3D NAND帶動晶圓產能與先進製程投資，2030年需求可能增至26.7萬噸，年複合成長率約18.8%。市場需求顯示明確支撐。

從產業鏈角度觀察，台塑與大賽璐此次合作重點是整合高純度溶劑技術、半導體品質管理與台灣本地的量產能力。當先進製程競爭逐步由設備、晶圓製造向上游材料延伸，光阻稀釋劑等在過去較少受到關注的「隱形材料」，正成為台灣半導體供應鏈自主化的新戰場。