NI将半导体测试系统的PXI SMU通道密度提升6倍

国家仪器(NI)发表PXIe-4163高密度电源量测单元(SMU)，其DC通道密度为上一代NI PXI SMU的6倍，适合用来测试RF、MEMS与混合讯号，以及其他类比半导体元件。

NI全球销售与行销执行??总EricStarkloff表示：「5G、物联网与自动化汽车等高颠覆性技术的出现，迫使半导体产业必须持续推动技术发展，并采用更具效率的方式来进行半导体测试。半导体测试在NI的策略布局中占有重要地位；正因如此，我们正积极扩充旗下软体平台与PXI的功能，并促成最新款PXI SMU的问世；PXI SMU可协助晶片制造厂解决眼前的重大挑战。」

许多晶片制造厂均已迅速采用半导体测试系统(STS)，以达到提高产量、提升成本效益与缩减生产线规模等目的。新款PXIe-4163 SMU可进一步发挥上述功效。PXIe-4163 SMU具备更高的DC通道密度，能在多站点应用上实现更高等级的平行机制，同时透过可立即用於生产的规格，达到实验室等级的量测品质。工程师可结合运用上述优势，将相同的仪控设备运用在检验实验室与生产线上，如此即可减少与量测相关的种种难题，并缩短上市时间。
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