意法半导体新推出1200V IGBT低频电晶体

意法半导体（STMicroelectronics,ST）推出S系列 1200V IGBT绝缘闸极双极性电晶体。当开关频率达到8kHz时，新系列的双极元件拥有低导通及关断耗损，大幅提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业马达驱动器等相关设备的电源转换效率。

图一 : 新系列双极元件拥有低导通及关断耗损，大幅提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业马达驱动器等设备的电源转换效率。

新S系列拥有当前1200V IGBT市场上最低的饱和电压（VCE(sat)），可确保更低的电压降与最小的功率耗损，从而简化热管理系统。此外，正VCE(sat)温度系数结合紧密的叁数分布，不仅大幅简化了多个电晶体的平行设计，亦满足更大功率应用的要求。极低的电压过冲及关机零振荡现象（zero oscillation），让电源厂商能够使用更简易的外部电路及更少的外部元件。

10μs最小短路耐受时间 (达摄氏150度初始接面温度时) ，无锁定（latch-up free operation）效应，拥有摄氏175度高接面温度及宽广的安全工作范围。多项产品优势实现了极强、稳健的耐用性与可靠性。
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