应材发表Sprint Plus

应用材料公司宣布推出业界第一套钨金属化学气相沉积制程设备-Sprint Plus，其具有高生产力的先进填沟技术，将可支援次100nm晶片世代。Sprint Plus可於Endura SL平台结构上，结合最新推出的原子层沉积（ALD：Atomic Layer Deposition）钨金属成核技术，以及领先业界的300Torr高压钨填充层化学气相沉积制程，针对微小的电路结构，提供无缝隙的钨金属填孔洞能力。

钨沉积层的执行主要是透过应用材料公司的300Torr高压低温钨化学气相沉积制程，可针对先进的接触区结构，以很高的沉积速率执行无缝隙的填充作业。应用材料是於2000年正式推出这套制程技术的，可提供更良好的接触电阻效能及沉积後续化学机械研磨或蚀刻的制程整合。

应用材料公司??总裁暨化学气相沉积与原子层沉积金属导线系统事业群总经理莫利斯·柯瑞（Moris Kori）博士表示：「Sprint Plus将可扩大应用材料在金属化学气相沉积领导地位至300mm世代，提供客户先进技术与高生产力，确保他们在未来几代的晶片技术的竞争力。」
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