攜手格芯 Microchip開始量產28奈米SuperFlash嵌入式快閃記憶體

GlobalFoundries、Microchip及其旗下子公司冠捷半導體（SST）今（28）日宣佈，採用GF 28SLPe製程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM解決方案即將投產。

圖一 : 採用GlobalFoundries 28SLPe 製程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM 解決方案即將投產。

隨著邊緣智慧化水準的不斷提高，嵌入式快閃記憶體的應用也呈爆炸式增長。在家庭和工業物聯網以及智慧行動設備的廣泛應用，用於安全程式碼儲存、OTA更新和增強功能的嵌入式記憶體正呈上升趨勢。滿足這些需求需要創新的平台。

在實施冠捷半導體應用廣泛的ESF3 SuperFlash技術方面，GlobalFoundries確立新的行業基準。GlobalFoundries業務長Mike Hogan表示：「GlobalFoundries與冠捷半導體合作，在28SLPe平台上開發、認證並投產這款令人印象深刻的嵌入式NVM解決方案。GlobalFoundries的客戶發現，這款解決方案集高效能、出色的可靠性、IP可用性和成本效益於一身，非常適合先進的MCU、複雜的智慧卡及面向消費和工業產品的物聯網晶片。」

Microchip 授權業務部門和冠捷半導體副總裁Mark Reiten表示：「過去十年，冠捷半導體與GlobalFoundries緊密合作，將冠捷半導體的行業標準ESF1和ESF3 嵌入式快閃記憶體技術整合到GlobalFoundries的130奈米BCD、55 奈米、40 奈米以及當前的28 奈米製程平台並實現產品化。我們欽佩GlobalFoundries在提供最廣泛的嵌入式NVM解決方案方面的領先地位，期待雙方的緊密合作關係在未來十年帶來更多突破。」

在今天於慕尼黑舉行的GlobalFoundries GTS峰會期間，SST在IP合作夥伴區展出其嵌入式快閃記憶體技術。

產品特點

‧ 成本最低的28奈米HKMG ESF3解決方案，僅增加10個遮罩，包括真正的5V IO CMOS元件

‧ SST ESF3 位元單元尺寸僅為0.04平方微米，極具競爭力

‧ 工作溫度額定值為-40°C至125°C

‧ 讀取存取時間為次25奈秒(ns)、程式設計時間為10微秒和抹除時間為4毫秒

‧ 超過100,000次程式設計/抹除迴圈的耐用性

‧ 不影響使用GF 28SLPe平台合格IP的設計流程（EG 流程）

‧ 可立即提供4Mb至32Mb 的現成巨集程式

‧ 可從SST或GF獲得客製化設計支援