HBM擠壓傳統DRAM產能 記憶體供應緊張恐延續至2028年

人工智能伺服器需求持續成長，帶動高頻寬記憶體市場快速擴張，也進一步改變全球DRAM產業的供需結構。由於HBM生產需要大量高階DRAM晶圓產能，三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）與美光（Micron）持續將部分產能轉向HBM，導致傳統DRAM供應受到擠壓，市場預期記憶體供需緊張情況可能延續至2028年。

圖一 : 記憶體供應緊張恐延續至2028年

受市場對人工智能基礎建設需求持續看好的影響，台灣記憶體族群今日在近期股價大幅修正後出現反彈。市場分析指出，人工智能伺服器對記憶體的需求，已不同於過去PC、智慧型手機與一般伺服器市場。AI加速器需要大量HBM提供高速資料傳輸，而單一人工智能伺服器系統所搭載的記憶體容量，也遠高於傳統伺服器，持續推升高階記憶體需求。

HBM的快速成長也正在對整體DRAM供應產生連鎖效應。由於HBM必須採用高階DRAM晶片，並涉及先進製程與高階封裝技術，記憶體廠商在擴大HBM產能的同時，也可能排擠部分傳統DRAM的生產資源。換言之，AI記憶體需求帶動的並不僅是HBM市場成長，更正在重新分配全球DRAM產能。

目前市場關注焦點包括HBM4的量產與產能擴充速度，以及三大記憶體廠商未來資本支出規模。若AI伺服器需求持續維持高成長，傳統DRAM供應緊張與價格上行趨勢可能延續。此外，中國長鑫存儲（CXMT）持續擴大DRAM產能，也將成為未來影響全球記憶體供需的重要變數。

在AI資料中心持續擴張的背景下，HBM與傳統DRAM之間的產能分配，將成為未來數年記憶體產業的重要觀察指標。從供應商的資本支出、HBM4擴產進度，到中國記憶體業者的產能擴張，均可能重新塑造全球DRAM市場的競爭格局。