CTIMES- 鎧俠與SanDisk攜手突破3D快閃記憶體技術 NAND速度達4.8Gb/s

Kioxia Corporation（鎧俠）與SanDisk近日共同宣布，在3D快閃記憶體技術上取得重大突破，推出業界領先的技術，不僅實現了4.8Gb/s的NAND介面速度，更在功耗和密度方面表現卓越。

這項創新技術於ISSCC 2025（國際固態電路研討會）上亮相，結合了雙方革命性的CBA（CMOS直接鍵合到陣列）技術，採用最新的Toggle DDR6.0 NAND快閃記憶體介面標準，並利用SCA（獨立命令位址）協議和PI-LTT（電源隔離低端接端）技術，進一步降低功耗。

相較於目前量產的第八代3D快閃記憶體，這項技術預計可將NAND介面速度提升33%，達到4.8Gb/s。同時，資料輸入/輸出的功耗也得到顯著改善，輸入功耗降低10%，輸出功耗更降低了34%，在高效能和低功耗之間取得了平衡。展望第十代3D快閃記憶體，兩家公司透露，透過增加記憶體層數至332層，並優化平面密度，位元密度將提高59%。
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