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半鑲嵌金屬化:後段製程的轉折點?

應對多世代20奈米以下導線間距的RC延遲問題

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五年多前,比利時微電子研究中心(imec)提出了半鑲嵌(semi-damascene)這個全新的模組方法,以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。


當半鑲嵌製程與像是釕(Ru)等可圖形化金屬並用時,預計會在RC延遲、面積、成本和功率效率方面帶來高效益,提供了一條微縮內連導線的發展道路。


本文回顧這個概念的價值主張、總結最頂尖的釕(Ru)半鑲嵌技術之挑戰和潛在解決方案,並呼籲產學界合作排除導入業界的發展障礙。
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