半導體表面處理技術與設備供應商FSI International，宣佈推出鎳鉑去除製程（nickel-platinum strip process）PlatNiStrip；該技術可協助半導體廠商在65奈米技術節點建置自我對準金屬矽化結構（salicide formation）。FSI是利用該公司ZETA噴霧清洗設備發展出這種製程技術，並與多家重要半導體廠商合作利用65奈米試產晶片驗證新製程。這種低成本製程可以導入標準ZETA設備，並與業界標準化合物搭配使用。

FSI表示，半導體廠商原想使用矽化鎳在65奈米節點建置salicide結構，但矽化鎳的熱穩定性卻無法確保每次都足以承受整合可能產生的溫度。研究人員發現只要約5％的鉑，矽化物薄膜的熱穩定性就會大幅提高，而硫酸加過氧化氫（sulfuric acid-hydrogen peroxide）溶液等傳統鎳金屬去除法並不能有效去除鉑金屬，因而導致晶圓表面會出現鉑殘留物。

而FSI的PlatNiStrip製程技術是一種就地混合（point-of-use blended）酸性溶液，它能同時去除鎳和鉑，沒有任何殘留物，對於矽化物、氧化物和氮化物也具備高選擇性，使得矽化鎳鉑薄膜的整合得以實現。而ZETA設備原本就很適合這項應用，因其專屬化合物混合和輸送技術可確保穩定一致的蝕刻速率和選擇性，進而得到穩定可靠的製程效能。

ZETA設備為8吋和12吋晶圓提供全自動化機台配置，8吋和6吋晶圓則為半自動化機台配置。ZETA設備已證明能夠支援各種應用，包含前段製程的光阻劑去除和電漿灰化後清洗、後段製程的電漿灰化後清洗、salicide去除、晶圓凸塊和晶圓回收（wafer reclaim）。這套設備採用離心噴霧技術，它會在充滿氮氣的密閉反應室內以乾進乾出的方式完成晶圓處理。