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英飛凌持續擴展領先業界之功率半導體組合
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍 報導】   2005年11月07日 星期一

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功率半導體領導廠商英飛凌科技公司日前於美國巴爾地摩舉辦的全球功率系統展中發表兩款新產品:一、金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)之CoolMOSTMCP系列,此乃英飛凌再度擴充針對高效率電源供應器使用的晶片產品組合,可用於電信產品、筆記型電腦以及消費性家電中;其功能特性和之前推出的CoolMOS CS系列一樣,都具有業界最低的開啟狀態(on-state)電阻值。二、TDA21801風扇速度控制器IC,可用來製作具彈性且低成本的系統,以控制各種電源供應器裝置中的冷卻風扇速度,例如在個人電腦、伺服器與工業和醫療設備等高階電子設備。

CoolMOS CP MOSFET是針對中功率電源供應器中的PFC(Power Factor Correction功率因素修正)電路和PWM(Pulse Width Modulation脈衝寬度調制)電路而設計的,可應用在電信、筆記型電腦電源轉換器、以及消費性產品中的電源供應器等。CoolMOS CP MOSFET採用各種不同的封裝型式,並具備600V的電壓阻隔能力。設計工程師利用其極低開啟狀態電阻值和低閘門電荷(gate charge),可以大量降低電源供應器的導通和開關切換損耗。例如,在400V時的電容性損失可降低至25%。由於降低導通和開關切換損耗後可以增加效率,並讓工程師增加系統的操作頻率,因而產生尺寸精巧的高效率電源供應器。 另一方面,工程師也能在不改變其他設計的情況下增加電源輸出,因此能降低每瓦特的系統成本。

在取得克服矽晶效益限制的技術性突破後,英飛凌CoolMOS產品達到了業界最低開啟狀態之電阻值,因而增加電源供應器之效率,降低系統成本。該600V CoolMOS CP家族產品能夠達到一個大約2.4Ωmm2(ohms X 矽晶面積之釐米平方)特定區域的Figure of Merit (FOM,其定義為開啟狀態電阻值乘以矽晶面積)。因此,CoolMOS CP設計可達到125mΩ至385mΩ的開啟狀態電阻值,實際阻值依採用之封裝而定。

關鍵字: 英飛凌(Infineon
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