帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
英飛凌RC-E獨立式IGBT可直接升級既有設計
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2016年10月24日 星期一

瀏覽人次:【3867】

【德國慕尼黑訊】電磁爐設備通常運用諧振拓樸,實現電流雙向流動,並且採用切換頻率為18 kHz至40 kHz時可達到最佳效能,且損耗率低的獨立IGBT。英飛凌科技(Infineon)推出全新獨立IGBT系列產品,滿足了上述需求。新型RC-E產品經過成本優化,符合中低階價位電磁爐和電鍋的具體需求。

英飛凌新型 RC-E 產品經過成本優化,符合中低階價位電磁爐和電鍋的具體需求。
英飛凌新型 RC-E 產品經過成本優化,符合中低階價位電磁爐和電鍋的具體需求。

單片整合式逆導二極體

新款RC-E 產品透過單片整合式逆導二極體的IGBT達成諧振切換,這項優化的技術有助於實現低切換及低導通損耗。更低的損耗讓設計人員更輕易地達到電磁爐應用的效率與功率目標,如此一來,便能減少烹煮時所需消耗的能源,降低消費者的使用成本。新款產品具備低 Eoff、VF、Rth、Vce(sat),為性價比及易用性立下新的標竿。

新產品系列具備了英飛凌在獨立 RC IGBT 領域的高品質,同時滿足軟切換應用、效率、EMI標準的所有要求。RC-E 系列具備可靠的效能,且價格更加實惠,可降低 BOM成本。RC-E 採用標準TO-247 封裝,可直接在既有設計中做替換。

目前已開始供應樣品,產品則已進入生產階段。本系列產品將推出15 A及25 A兩種規格,阻斷電壓均為最常用的1200 V。(編輯部陳復霞整理)

關鍵字: IGBT  獨立式  逆導二極體  Infineon(英飛凌Infineon(英飛凌系統單晶片 
相關產品
英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性
英飛凌推出新一代 ZVS 返馳式轉換器晶片組
英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度
英飛凌全新PSoC車規級 微控制器系列支援第五代 CAPSENSE技術
  相關新聞
» A+計劃補助電動車產業 驅動系統、晶片和SiC衍生投資3億元
» 工研院VLSI TSA研討會登場 聚焦異質整合與小晶片、HPC、AI
» 英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能
» 英飛凌站上全球車用MCU市場龍頭 市占率成長至29%
» 英飛凌與Amkor深化合作關係 在歐洲成立專用封裝與測試中心
  相關文章
» 打通汽車電子系統即時運算的任督二脈
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.136.26.20
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw