Microchip公司日前透過其子公司Silicon Storage Technology（SST）推出已通過驗證的、基於GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite技術平台的、SST低光罩數嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體（NVM）產品。僅僅只需四個罩照步驟(masking steps)即可將SST嵌入式SuperFlash儲存解決方案和GLOBALFOUNDRIES的BCDLite技術結合在一起，為電源、微控制器（MCU）和工業IC設計人員提供一款高成本效益、高耐用性的嵌入式快閃記憶體解決方案。在諸如電池充電（5V-30V）等高容量電源應用領域，GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平台與SST SuperFlash嵌入式儲存功能的搭配將實現先進的電池監測功能，準確測量出電池的年齡和健康度。
作為結合SST嵌入式SuperFlash儲存技術和先進類比技術的平台，GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平台擁有低導通電阻，這使得設計人員能夠以小尺寸晶粒實現單晶片、可程式設計的電源解決方案。
SST全球市場行銷及業務開發總監Vipin Tiwari表示：「低光罩數嵌入式SuperFlash技術與先進130 nm BCDLite製程的結合，開闢了產品全新的應用潛力，尤其是對於電源管理市場而言，令人倍感振奮。現在，有BCDLite製程需求的客戶可以在降低成本的同時為其複雜演算法添加嵌入式SuperFlash儲存技術。」
「我們與SST合作開發出的這款130 nm BCD+NVM模組化平台產品，適用於各類要求苛刻的電池供電應用，包括無人機、智慧馬達控制、以及正常關閉行動運算等。」GLOBALFOUNDRIES嵌入式儲存副總裁Dave Eggleston表示。
基於GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平臺的SST SuperFlash技術方案現已開始投放市場，同時由一個資源豐富的自訂庫提供完備的技術支援，該自訂庫包含了針對類比/電源SoC而最佳化的現成IP模組資源。（編輯部陳復霞整理）
