國際整流器公司（International Rectifier；IR）推出採用高效能4×5 PQFN功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。此項新的封裝選擇使IR的功率模塊產品系列效能得以延伸至更低功率的設計，適用於先進的電訊與網路通訊設備、伺服器、顯示卡、桌上型電腦、超輕薄筆電（Ultrabook） 及筆記型電腦等12V輸入DC-DC同步降壓應用，為DC-DC應用提供高密度精密解決方案。
IRFH4257D配備IR新一代矽技術和專用封裝技術，以精密的4×5功率模塊提供溫度效能、低導通電阻（RDS(on)）與閘極電荷（Qg），帶來一流的功率密度和更低的開關損耗。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IRFH4257D與IR其他FastIRFET元件一樣，可與各種控制器或驅動器搭配操作，為單相位或多相位應用提供設計靈活性，同時實現更高的電流、效率和頻率。現在產品系列增添了 IRFH4257D，設計人員便可選擇4×5或5×6 PQFN封裝以滿足其設計要求。」
IRFH4257D符合工業級和第一級濕度敏感度（MSL1）標準，其物料清單不但環保亦不含鉛，符合電子產品有害物質限制指令（RoHS）。產品現正接受批量訂單。（編輯部陳復霞整理）
