突破AI晶片散熱與封裝瓶頸 創浦攻晶片內建冷卻與玻璃基板鍍膜技術

半導體產業的競爭焦點正全面延伸至先進封裝與晶片層級的散熱架構。創浦（TRUMPF）於 SEMICON Taiwan 2026 期間，展示針對 AI 晶片堆疊的「整合式晶片內部冷卻技術」，並同步發表用於玻璃基板（Glass Substrate）微米級通孔鍍膜的 HiPIMS 電漿電源方案，以超短脈衝雷射與先進電漿技術助攻次世代 AI 晶片量產。

圖一 : 創浦餐與SEMICON Taiwan 2026

在 3D 晶片堆疊與高密度互連架構下，熱源高度集中於封裝內部，傳統伺服器機櫃冷卻或外貼散熱片已難以即時導出高溫。為此，微流體冷卻（Microfluidic Cooling）與內建均熱層成為半導體大廠技術藍圖的重要方向，直接在熱源附近進行散熱。

為克服碳化矽（SiC）及鑽石等高導熱材料硬度極高、傳統蝕刻難以加工微小結構的瓶頸，創浦推出超短脈衝雷射解決方案。高速微細加工可在碳化矽等材料上精準加工微米級冷卻結構，加工速度達傳統蝕刻的五倍以上。晶片堆疊整合則是將微流體通道等冷卻結構直接整合至晶片堆疊內部，大幅提升導熱效率，為次世代高功耗 AI 處理器排除熱障礙。

創浦雷射技術全球半導體業務發展經理 Cathrin Conrad 指出，散熱將成為未來 AI 處理器發展的主要瓶頸之一。若缺乏創新的冷卻概念，未來對運算效能的要求將難以實現。創浦超短脈衝雷射能在兼顧成本效益的前提下，推動相關微結構實現工業化量產。

HiPIMS 電漿鍍膜技術 突破數百萬玻璃通孔（TGV）良率門檻除了散熱瓶頸，先進封裝向玻璃基板演進亦是突破傳輸頻寬與密度極限的關鍵路徑。然而，玻璃基板需在單片基板上鑽製數百萬個高深寬比的微米級玻璃通孔（TGV），並確保導電材料均勻覆蓋。

創浦新興技術需求負責人 Piotr Lach 強調，玻璃通孔深度高且數量龐大，單一通孔鍍膜不良即可能導致整片基板報廢，HiPIMS 技術能提供高重複性與高良率，是玻璃基板邁向商業化量產的核心推手。 深化先進製程關鍵鏈 創浦半導體年營收達 10 億歐元創浦長期作為 ASML EUV 微影設備高功率雷射的核心供應商，近年半導體相關技術營收已達約 10 億歐元，全球投入研發與服務的人力超過 2,500 人。從 EUV 光源驅動、電漿蝕刻與鍍膜電源，到先進封裝的玻璃鑽孔、晶圓雷射切割與內部冷卻加工，創浦正持續擴展其在台及全球半導體生態系的技術支援版圖，加速 AI 與先進製程的落地應用。