Cypress新增2-Mbit与8-Mbit nvSRAM产品

Cypress公司发表2-Mbit与8-Mbit非挥发性静态随机存取记忆体（non-volatile static random access memory；nvSRAM），将Cypress的nvSRAM系列产品线从16-Kbit扩展至8-Mbit。此全新元件具备20奈秒(ns)的存取时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资料维持等产品特色，可为需要持续高速写入资料，与绝对非挥发资料安全等应用，提供最隹解决方案。需要nvSRAM功能的系统包括：伺服器、RAID的应用、环境严苛的工业控制、以及在汽車、医療、以及數据通讯系统。

图一 : Cypress的2-Mbit与8-Mbit非挥发性静态随机存取记忆体具备20奈秒(ns)的存取时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资料维持等产品特色(图片来源:厂商)

CY14B102 2-Mbit nvSRAM与CY14B108 8-Mbit nvSRAM符合ROHS环保规章，能直接取代SRAM、电池供电SRAM、EPROM与EEPROM等元件，不需使用电池就能提供可靠的非挥发资料储存功能。在关闭电源时，系统会自动把SRAM储存的资料传送到元件的非挥发储存元件。在启动电源时，再把资料从非挥发记忆体回存到SRAM。兩种作业都在软体的控制下执行。新款nvSRAMs采用Cypress的S8 0.13微米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，矽氧化氮氧化矽）嵌入式非挥发性记忆体技术，具备更高密度，并能改善存取时间与效能。

此款2-Mbit与8-Mbit的nvSRAMs产品提供一个即时时脉功能，结合业界最低的待机振荡器电流与最高效能的整合式记忆体，可经由非挥发性记忆体支援，为发生事件对加上时间戳记。

nvSRAM为快速、非挥发性记忆体提供最隹替代方案。相较於电池备援的SRAMS，nvSRAM所需电路板空间更少、设计复杂度更低，而且比MRAM或铁电记忆体（FRAM）更为经济实惠。