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CTIMES / Nvsram
科技
典故
第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期,贝尔实验室开始一项研究计划,目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日,由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管,优点是体积更小、更可靠、且成本低廉,不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业,同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
运用nvSRAM 维持企业级SSD于电源故障时的可靠性 (2013.10.04)
固态硬盘技术简介 固态硬盘(Solid State Drives,简称SSD)是一种能永久储存数据的装置,采用固态半导体的内存,如闪存(NAND Flash),有别于传统硬盘机(HDD)所使用的磁性材料
Cypress的平行式nvSRAM非挥发内存获LSI青睐 打造业界首款12Gb/s SAS适配卡 (2013.09.25)
触控感测市场领导厂商Cypress Semiconductor宣布LSI已为其新款12 Gb/s SAS适配卡(HBA)选用Cypress的平行式非挥发静态随机存取内存(nvSRAMs),这些适配卡将用在高效能服务器、工作站、及外接式储存系统
Cypress新增2-Mbit与8-Mbit nvSRAM产品 (2008.07.14)
Cypress公司发表2-Mbit与8-Mbit非挥发性静态随机存取内存(non-volatile static random access memory;nvSRAM),将Cypress的nvSRAM系列产品线从16-Kbit扩展至8-Mbit。此全新组件具备20奈秒(ns)的访问时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资料维持等产品特色
非挥发静态随机存取记忆体优势介绍 (2008.02.18)
记忆体可大致分成挥发性记忆体,以及非挥发性记忆体。结合SRAM功能与非挥发性储存能力的记忆体,能在系统中发挥许多优点。本文简单介绍NVSRAM的特性与工作原理,并比较NVSRAM与其他提供类似解决方案的记忆体
Cypress新4-Mbit nvSRAM采0.13微米SONOS制程 (2007.10.26)
Cypress公司发表一款全新4-Mbit非挥发性静态随机存取内存(non-volatile static random access memory;nvSRAM),具备15奈秒(ns)的访问时间、无限次數的讀写及记忆周期、还有长达20年的资料维持等产品特色

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