宏微科技高速型IGBT模组显着提升大功率高频设备的效率

宏微科技HN系列1200V IGBT模组采用最新一代英飞凌高速型IGBT晶片，是少数市场上仅有的高速型IGBT模组，经由适当的封装设计，该产品系列模组提供给客户50A~800A不等的多款规格选择。

图一 : 宏微科技HN系列1200V IGBT模组能有效的增加终端设备的整体效率。

做为新兴的电力电子半导体领导厂家，宏微科技发现市面上仅有极少数可供选择的高速型IGBT大功率模组，绝大多数皆为10年前或甚至更早发表之产品，主要原因为频率需要操作在20~200Khz的大功率应用设备并不甚普遍，IGBT模组厂商在此一领域相对较无计划推出新产品方案。有监於此，宏微科技决定使用英飞凌HS3高速型IGBT晶片，进一步设计成大功率模组产品。

相较於市面上传统的高速型IGBT模组，宏微科技1200V HN系列IGBT模组有以下几项特点，包括晶片为最新沟槽式场截止型 (Trench-Field-Stop) 结构设计，Tj可高达175。C；更低的Vce压降，有效降低30%以上的导通损耗 (Conduction Loss)；支持20~200Khz的大功率高频开关应用，同时保有极小的EMI杂讯干扰；更高的功率密度，帮助客户完成更小体积的产品设计以及为市面上总损耗最低的高速型大功率IGBT模组。
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