意法半导体1350V新系列IGBT电晶体符合高功率应用

为了在所有运作条件下确保电晶体产生更大的设计馀量、耐受性能和高可靠性，意法半导体（STMicroelectronics）推出新系列IGBT电晶体将击穿电压提升至1350V，最高作业温度高达175。C，具有更高的额定值。

图一 : 新系列IGBT电晶体将击穿电压提升至1350V，最高作业温度高达175。C，具有更高的额定值。瞄准工业和电磁加热应用。

STPOWER IH2系列IGBT提升了功率转换效能，以及相关叁数效益，例如，低饱和导通电压Vce（sat），确保元件在导通状态下耗散功率较小；而续流二极体的压降低，能够优化关断电能损耗，让在16kHz至60kHz运作频率的单开关准谐振转换器效能更高。

新IGBT的耐受性和高效能适用於工业和电磁加热应用，例如厨房炉灶、变频微波炉、电锅等家电设备。在2kW应用中，新型IGBT元件还可以降低功耗11%。此外，Vce（sat）具有正温度系数效应，元件之间紧密的叁数分布有助於简化设计，可轻松并联多个IGBT二极体，满足高功率应用的需求。
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