安森美半导体将於欧洲PCIM 2019推出新款IGBT产品

安森美半导体（ON Semiconductor）将於5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基於碳化矽（SiC）的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。

图一 : 安森美半导体基於SiC的混合IGBT和隔离型大电流IGBT门极驱动器将在欧洲PCIM 2019推出..

AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC萧特基二极体（Schottky Diode）技术，提供低导通损耗和开关损耗，用於多方面的电源应用，包括那些将得益於更低反向恢复损耗的应用，如基於图腾柱的无桥功率因数校正（Power factor correction；PFC）和逆变器。

该器件将矽基IGBT与SiC萧特基势垒二极体共同封装，从而在矽基方案的较低性能和完全基於SiC方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650 V，能够处理高达100 A@25 刟C（50 A@100 刟C）的连续电流，以及高达200 A的脉冲电流。对於需要更大电流能力的系统，正温度系数令并行工作更简便。
...
...

另一名雇主	限られたニュース	文章閱讀限制	出版品優惠
一般使用者	10/ごとに 30 日間	0/ごとに 30 日間	付费下载
VIP会员	无限制	25/ごとに 30 日間	付费下载