RFMD发表RF高功能整合之新致能技术

RF Micro Devices发表由RFMD所研发的新技术，以於RF应用中达到最高的功能整合性。此新技术包括密封式晶圆等级封装(WLP)、微机电系统(MEMS)、整合式顺形屏蔽、氮化??(GaN)、GaAs E/D pHEMT及GaAs BiFET。RFMD预期此新制程及致能技术，将支援该公司於2008年的预期成长，并延伸其於新蜂巢式产品领域的触角, 包括蜂巢式模式开关、滤波器、双工器及其它用於蜂巢式手机的高效能RF零组件。

RFMD新技术之基础，为该公司对於最适技术匹配(OTM,Optimum Technology Matching)的长久坚持,透过此，RFMD的设计师根据成本及效能之考量，为每项应用选择最适宜的技术。透过专为在RF应用上，增加功能整合性层次之致能技术的大幅延伸，RFMD的新技术趋动OTM更向前迈进了一步。除无线市场外, RFMD并预期其新技术将扩展该公司新成立之多重市场产品事业群(MPG)之目标市场的成长，包括无线基础设施、无线存取、标准产品、宽频/消费性及航太与国防领域。领导级的独立研究公司Gartner最近并评定RFMD为数位用户RF元件、以及蜂巢式功率放大器及前端模组之第一供应商。

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