ROHM确立超高速驱动控制IC技术 更大程度发挥GaN性能

ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度发挥GaN等高速开关元件的性能。近年来，GaN元件因具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN元件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。

图一 : ROHM确立可更大程度发挥GaN元件性能的「超高速驱动控制」IC技术

在此背景下，ROHM进一步改善了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术「Nano Pulse Control」，成功将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界最高水准。透过将该技术应用在控制IC中，又成功确立了可更大程度发挥GaN元件性能的超高速驱动控制IC技术。

目前，ROHM正在积极将应用该技术的控制IC产品化，计画在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC/DC控制器的样品。与ROHM的GaN元件「EcoGaN系列」结合後，将会为基地台、资料中心、FA装置和无人机等众多应用实现高度节能和小型化。今後ROHM将继续以擅长的类比技术为中心，积极开发可有效解决社会课题的产品。
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