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Transphorm新款SuperGaN FET驱动器方案适合中低功率应用

全球氮化??(GaN)功率转换产品供应商Transphorm 发布一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案针对中低功率的应用,适用於LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竞电脑,强化公司在此30亿美元电力市场客户的价值主张。


不同於同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位元电路,Transphorm 的 SuperGaN FET由於可以与市售的驱动器搭配使用,更易於驱动。新款解决方案采用高速、非隔离式、高电压半桥栅极驱动器,在不影响 GaN FET 或系统性能的情况下,进而降低了系统总成本。


Transphorm业务发展和市场行销高级??总裁Philip Zuk表示:「能够根据需要来选定驱动器,对客户来说是一个非常重要的优势。客户可以为不同性能优势权重的设计挑选相应的驱动,从而更好地控制电力系统的成本。这对价格敏感的终端市场尤为重要。Transphorm 的GaN能够提供更高性能,采用我们的氮化??器件,客户可以根据最终结果来挑选BOM,从而以极隹的成本效益实现所需的性能。」
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