CTIMES- 单晶片驱动器+ MOSFET（DrMOS）技术改善电源系统设计

单晶片驱动器+ MOSFET（DrMOS）技术改善电源系统设计

本文介绍最新的驱动器+ MOSFET（DrMOS）技术及其在稳压器模组（VRM）应用中的优势。单晶片DrMOS元件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能，进而增强最终应用的整体性能。

随着技术的进步，多核架构使微处理器在水准尺度上变得更密集、更快速。因此，这些元件需要的功率急剧增加。微处理器所需的此种电源由稳压器模组（VRM）提供。

在该领域，推动稳压器发展的主要有两个叁数。首先是稳压器的功率密度（单位体积的功率），为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度。另一个叁数是功率转换效率，高效率可降低功率损耗并改善热管理。
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