KLA-Tencor解決EUV研究和雙次成像微影的挑戰

KLA-Tencor推出了最新一代的PROLITH虛擬黃光電腦模擬軟體PROLITH X3.1。其讓晶片廠商、研發機構及設備製造商能夠迅速且具成本效益地解決超紫外線（EUV）和雙次成像微影（DPL）製程中的挑戰，包括與晶圓堆疊不平坦有關的邊緣粗糙度（LER）和成像問題。PROLITH X3.1微影模擬軟體能夠簡化他們的研發，節省微影單位資源，並加速產品的開發。

圖一 : KLA-Tencor推出PROLITH X3.1虛擬黃光電腦模擬軟體。

KLA-Tencor製程控制資訊部副總裁兼區域總經理Ed Charrier表示，在評估2Xnm及未來更先進設計的多項微影技術方面，研發人員必須了解製程設計前後如何影響在晶圓上的成像，包括光罩設計、掃描曝光機設定、晶圓堆疊不平坦和光阻成份的差異等影響。PROLITH X3.1並不實際曝光測試晶圓，而是模擬成像結果，利用基本物理學原理來協助研發人員研究和最佳化微影製程。新的X3.1版EUV和LER功能只需數分鐘就能產生精準結果，使其可以大幅縮短產品開發時間。此外，這項策略還能降低掃描曝光機、track和CD-SEM機台轉至運行可行性實驗的時間，釋出EUV技術以便進行整合與測試，或釋出微影技術以增加生產運行。

PROLITH X3.1其設計目的是讓研發人員能夠經濟高效地研究不同的微影技術，相關功能：
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