應用材料公司發布電晶體與佈線技術 加速AI晶片效能

應用材料公司推出全新的沉積、蝕刻及材料改質系統，能在2奈米及更先進節點提升尖端邏輯晶片效能。這些技術透過對最基本的電子元件——電晶體進行原子尺度改良，從而大幅提升AI的運算能力。

圖一 : 應用材料公司環繞式閘極（GAA）電晶體與佈線創新技術示意圖

採用環繞式閘極電晶體是半導體產業的重要轉折，也是實現更高能源效率，以支撐更強大AI晶片運算所需的關鍵技術。隨著2奈米世代環繞式閘極晶片今年邁入量產，應材同步推出全新的材料創新技術，進一步強化埃米節點的新一代環繞式閘極電晶體效能。這些全新晶片製造系統帶來的整體效益，顯著提升了環繞式閘極製程節點轉換的整體能源效率。

環繞式閘極電晶體的核心在於水平堆疊、承載電流的「奈米片」。這些奈米片由僅數奈米寬的超薄矽所構成，其物理結構必須具備極高的精準度，才能確保每一片都能有效作為電荷載子的傳導路徑。奈米片的表面狀況尤為關鍵，即使是原子級的粗糙或污染，都可能顯著影響其電性表現和最終晶片的整體效能。潔淨且高度均勻的奈米片表面，可大幅提升通道的電子遷移率，這在決定電晶體開關速度方面至關重要，從而製造出速度更快、能源效率更高的電晶體，以滿足新一代AI晶片的需求。