德州儀器(TI)近日推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應電晶體(FET)驅動器,進一步拓展GaN電源產品組合,此兩款GaN驅動器可在光達(LIDAR)以及5G射頻(RF)封包追蹤等速度關鍵應用中實現更高效率、更高性能的設計。 LMG1020和LMG1210可提供50 MHz的開關頻率,同時提升效率,並可實現過往矽MOSFET無法實現的小5倍尺寸解決方案。如欲瞭解更多資訊,請參考Link - LMG1020和Link - LMG1210。
憑藉著業界同級最佳的驅動速度以及1 ns的最小脈衝寬度,LMG1020 60-MHz低壓側GaN驅動器可在工業LIDAR應用中實現高準確度的雷射器。小型的晶圓級晶片尺寸(WCSP)封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm,有助於最小化柵極環路寄生和損耗,以更進一步提升效率。
LMG1210是一款50-MHz半橋驅動器,專為高達200 V的GaN場效應電晶體所設計。該裝置的可調死區時間控制功能可將高速DC / DC轉換器、馬達驅動器、D類音訊放大器及其它功率轉換應用等效率提升多達5%。設計人員可利用超過300 V / ns的業界最高共模瞬態抗擾度(CMTI)實現更高的系統抗雜訊抗擾度。
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