為了滿足移動設備製造商多樣化和不斷變化,必須解決電源管理方面的需求,Magnachip半導體發布兩款第七代 MXT 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET),內置超短通道技術可用於智慧型手機中的電池保護電路模組。

| 圖一 : Magnachip半導體發布兩款第七代 MXT MOSFET,內置超短通道技術可用於智慧型手機中的電池保護電路模組。 |
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Super-Short Channel是Magnachip的最新設計技術,可縮短源極和漏極之間的溝道長度,從而顯著降低RDS(on)和導通狀態下的導通損耗。 Magnachip率先將此技術應用於新發布的12V MOSFET(MDWC12D028ERH)和24V MOSFET(MDWC24D031ERH)。
得益於超短通道技術,這些新型 MOSFET 的尺寸減小20%,而 MDWC12D028ERH 和 MDWC24D031ERH 的 RDS(on) 與之前的版本相比分別降低 40% 和 24%。 憑藉這些增強的產品功能,電池充電或放電時的功率損耗減少,並且可以保持較低的工作溫度以實現快速電池充電。
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