STT-MRAM技術優勢多 嵌入式領域導入設計階段

目前有數家晶片製造商，正致力於開發名為STT-MRAM的新一代記憶體技術，然而這項技術仍存在其製造和測試等面向存在著諸多挑戰。STT-MRAM（又稱自旋轉移轉矩MRAM技術）具有在單一元件中，結合數種常規記憶體的特性而獲得市場重視。在多年來的發展中發現，STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃記憶體的穩定性與耐久性。STT-MRAM是透過電子自旋的磁性特性，在晶片中提供非揮發性儲存的功能。

圖一 : MRAM技術高度複雜，因此其發展歷程比預期的時間還更長。

只不過，這項技術看起來雖然有其優勢，卻也高度複雜，這就是為什麼它的發展歷程比預期的時間還更長。包括三星、台積電、英特爾、GlobalFoundries 等，都正在持續開發STT-MRAM技術。儘管如此，晶片製造商在其晶圓設備上面臨到一些挑戰，例如必須改進現有的生產設備，並將其升級到支援28nm或22nm以上的製程。此外，在生產過程中，測試也將發揮關鍵的作用。STT-MRAM需要新的測試設備，用於測試其磁場狀況。除此之外，還包括在生產流程中的不同位置，例如晶圓廠中的生產階段、測試平台、或者後測試等，都需要更為嚴格的檢測流程。

即便如此，挑戰仍然存在。當MRAM晶片在強磁場中運作時，MRAM測試就會產生新的狀況。在非磁性的儲存設備中，不必擔心這一點。然而對於MRAM來說，環境中的磁場就成了一個新的考量因素。通常，在操作期間需要利用強磁場來干擾STT-MRAM，這是需要經過驗證並加以解決的問題。產業界目前正密切關注STT-MRAM，因為該儲存技術已經開始被嵌入式領域的客戶用於產品設計的階段。
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