紐約大學理工學院和法國CEA-Leti合作開發12吋晶圓磁性記憶體元件

紐約州立大學理工學院(NYCREATES)和法國電子暨資訊技術實驗室(CEA-Leti)，宣布建立戰略研發夥伴關係，初期將聚焦於用於儲存電腦數據的磁性記憶體元件的研發，並將在300mm晶圓上進行生產。

圖一

第一個聯合研究項目旨在展示兩種新型記憶體裝置：自旋軌道力矩(SOT)磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)，和自旋轉移力矩(STT)MRAM。雖然兩種形式的MRAM都透過操縱不同材料的磁化來儲存數據，但STTMRAM提供了幾乎沒有功率洩漏的非揮發性記憶體；SOTMRAM被認為更快、更高效。

這兩個研發組織的領導者都希望這項為期兩年的合作能夠利用NYCREATES以奧爾巴尼奈米技術中心為中心的300mm晶圓研發生態系統，該中心是北美最先進的非營利半導體研發機構。CEA-Leti將提供其世界一流的工程服務和專業知識，在300mm晶圓上生產可用的記憶體元件。
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