為台灣嵌入式記憶體技術奠基 國研院發表SOT-MRAM研發平台

國研院半導體中心，今日舉行次世代嵌入式記憶體技術，「自旋軌道力矩式磁性記憶體（SOT-MRAM）」研究成果發表會。該記憶體採用垂直異向性的結構，不僅電耗更低、體積更小，同時讀寫的速度也更快，能夠整合至高性能的邏輯IC之中，進一步實現下世代的處理器晶片。

圖一 : 國研院和清華大學、臺灣大學及工研院共同研發出新型態的「自旋軌道力矩式磁性記憶體」（SOT-MRAM）。

磁性記憶體因同時具備揮發性與非揮發性記憶體的特性，因此十分適合整合於邏輯等其他元件，以嵌入式的型態進行使用。此次國研院和清華大學、臺灣大學及工研院共同研發出新型態的「自旋軌道力矩式磁性記憶體」（SOT-MRAM），是繼英特爾、愛美科（imec）後，世界少數開發出具備垂直異向性SOT-MRAM元件的團隊。

國研院半導體研究中心製程整合組組長李愷信博士表示，台灣所研發的SOT-MRAM技術，需同時使用多達30幾層奈米薄膜的堆疊技術，且記憶體尺寸僅20奈米，相較於其他記憶體只需5到6層薄膜堆疊相比，製造難度大幅提高。
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