1.在以TSV、3D-IC與散出型晶圓級封裝 (FOWLP) 製造 2.5D 中介層時，暫時性貼合 (TB) 與剝離扮演了什麼樣的角色？其重要性為何？ 暫時性貼合材料最關鍵的要求為何？

暫時性貼合/剝離 (TB/DB) 是薄晶圓處理技術中相當關鍵的一種兩部分製程步驟，該技術已用於許多先進的封裝應用中。其重要性隨著發展計劃朝向進階的異質整合技術發展，以便滿足業界對於低功耗、改善性能、短卡與更小尺寸的要求，因而日趨重要。需要進行薄晶圓處理的製程包含使用直通矽穿孔 (TSV)、2.5D 中介層與散出型晶圓級封裝 (FOWLP) 的晶圓與晶粒堆疊，以及某些化合物半導體製程。在這些應用之中，裝置晶圓暫時地貼合到一個載具晶圓上，以便幫助其後的製程步驟中，之後接著進行剝離步驟。

在 2.5D 中介層與 3D IC 的狀況中，將在整個背面製程步驟中使用暫時性貼合，之後將把晶圓從載具上剝離。由於晶圓的厚度從 100 μm 下降到了 25 μm，甚至更薄，而更小的邊緣排除區需要更先進的整合製程，因此黏合與剝離變等更加具有挑戰性。熱壓接合貼合用來製作無焊接接合，且將影響溫度要求。因此貼合材料的總厚度變化 (TTV) 變得更加重要，且必須能承受更高的溫度，但又不能影響晶圓或晶粒到晶圓堆疊的機械剛度。
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