EECO和ALLOS演示高性能200mm Gan-on-silcon實現micro-LED應用

Veeco Instruments Inc.宣布與ALLOS Semiconductors（ALLOS）完成一項戰略措施，以展示200mm 矽基板用於氮化鎵藍/綠光Micro-LED的生產上。 Veeco與ALLOS合作將其專有的磊晶技術轉移到Propel Single-Wafer MOCVD系統上，以便於現有的矽生產線上實現生產Micro-LED。

“使用Propel反應腔，我們就擁有了一項MOCVD技術來實現高產能的GaN磊晶，可滿足在200mm矽生產線上生產Micro-LED元件的所有要求， “ALLOS半導體公司執行長Burkhard Slischka表示。不到一個月的時間，我們就已經在Propel上建立了我們的技術，並且獲得了無裂紋、無回熔 (meltback-free)的晶圓，其翹曲度低於30 微米，晶體質量高，優異的厚度均勻性與小於1nm的波長均勻性。 和Veeco一起，ALLOS期待將這種技術更廣泛地應用於Micro-LED的產業中。“

Micro-LED顯示技術由< 30x30平方微米的紅色，綠色，藍色（RGB）無機LED所組成，再轉化為顯示器背板以形成子像素。與OLED和LCD相比，這些高效率LED直接發射且耗電量更低，卻可以為移動顯示器，電視機和穿戴式裝置提供卓越的亮度和對比度。Micro-LED的製造需要高質量、均勻的磊晶晶片來滿足顯示器的產量和成本控制的目標。
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