降低開關損耗 儒卓力供貨Rohm節能SiC-MOSFET

Rohm的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽閘結構(650V / 1200V)的碳化矽MOSFET元件，提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關性能，並將開關損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在伺服器電源、UPS系統、太陽能逆變器和電動汽車(EV)充電站中的節能使用。儒卓力表示已在其電子商務網站上提供這些元件。

圖一 : Rohm的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽閘結構(650V / 1200V)的碳化矽MOSFET元件，儒卓力已在其電子商務網站上提供這些元件。

TO-247-4L封裝可分離驅動器源極引腳和電源源極引腳，從而最大限度地降低寄生電感分量帶來的影響。這有助於顯著降低功耗，對於必須提供不斷電供應系統的高性能應用尤其具有吸引力。特別是隨著先進AI和IoT的發展，對雲端服務的需求不斷增長，資料中心因此面臨著在降低功耗的同時，還要提高容量和性能的挑戰。

配套評估板(P02SCT3040KR-EVK-001)中內建有適合於驅動SiC元件的閘極驅動器IC (BM6101FV-C)。多個電源IC及離散式零組件有利於應用評估和開發。由於相容兩種封裝類型(TO-247-4L和TO-247N)，可在相同條件的環境下進行評估。這個評估板可用於升壓電路、兩電平逆變器、同步整流型降壓電路中的雙脈衝測試和零組件評估。