茂矽與安森美成立功率IC設計公司

茂矽與安森美等合資成立功率IC設計公司一案，原本預計於九月中簽約，但因承辦該案的美國律師事務所所在地世貿第七大樓，在九一一事件中受紐約世貿雙子星大樓倒塌波及，合資三方已簽署的部份文件遺失，在茂矽提供備份文件並再簽署後，延宕多時的合資案預計在本週內完成簽約。

OnMOS初期資本額約八千五百萬美元，茂矽佔40％股權，安森美佔五一％股權，AATI則投資約9％。該公司將自明年起由茂矽主導再進行一億美元的投資，並擬於2003年在美國那斯達克上市，上市後安森美則會淡出股份，亦即茂矽將於該公司上市後才實際取得合資公司經營主導權。

根據茂矽與安森美的規劃，合資公司OnMOS初期將以開發每平方吋三億個以上晶格(cell)的功率IC為主，目前已在茂矽六吋廠投片試產，第四季就可開始下三千片訂單，預計明年中總投單量可達每月二萬片規模，約佔茂矽六吋廠六成產能。因此茂矽未來也將開始為安森美代工，亦即明年中後茂矽六吋廠將有八成以上產能生產功率IC。
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