ST BCD製程技術獲頒IEEE里程碑獎 長跑35年第十代即將量產

意法半導體（ST）宣布，電機電子工程師學會（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合矽閘半導體製程技術領域的創新研發成果。ST的BCD技術可以單晶片整合雙極製程高精密類比電晶體、CMOS製程高性能數位開關電晶體和高功率DMOS電晶體，滿足高複雜度、大功率應用的需求。多年來，BCD製程技術已賦能硬碟驅動器、印表機和汽車系統等終端應用獲得重大技術發展。

在意法半導體Agrate工廠的即時／線上揭牌儀式中，IEEE義大利分部人道主義活動委員會協調人暨前秘書Giambattista Gruosso，以及意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery共同揭開了IEEE里程碑牌匾。

ST率先採用單晶片整合雙極型電晶體、CMOS電晶體和DMOS電晶體（BCD）的超級整合矽閘極製程，解決複雜、具大功率需求的應用設計挑戰。首個BCD超級積體電路L6202可控制最高60V-5A的功率，開關頻率300kHz。隨後汽車、電腦和工業自動化也逐漸採用這項製程技術，讓晶片設計人員能靈活、可靠地以單晶片整合功率、類比和數位訊號處理電路。
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