國研院半導體中心今（20）日也宣佈與台積電合作開發的「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」（Selector and STT-MRAM Integration），於2023年12月電子元件會議IEDM（International Electron Devices Meeting）中發表，並獲選為Highlight Paper，成為全世界極少數成功開發出高密度、高容量的獨立式STT-MRAM製作技術團隊。

圖一 : 國研院半導體中心今（20）日也宣佈與台積電合作開發「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」，已成為全世界極少數成功開發出高密度、高容量的獨立式STT-MRAM製作技術團隊。

由於STT-MRAM具備高速度、高可靠度、小體積、省電等優點，十分適合應用於雲端運算與物聯網上進行大量的資料儲存，同時可提升人工智慧運算的學習效率與準確性，為國際半導體產學研重點發展領域。

國研院半導體中心則長期透過主導或協助發表國際重點領域的指標性會議論文，與國際發展趨勢接軌；並將論文發表的關鍵半導體技術轉化，以協助台灣產學研界建構碩博士級尖端研發服務與人才培育的服務平台，投入次世代記憶體晶片或新一代人工智慧晶片等應用驗證。
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