飛利浦推出第三代行動電話用全矽化RF解決方案

飛利浦半導體日前宣佈正式將高效能 BiCMOS 製程中最新的QUBiC4技術導入商用化應用。飛利浦表示透過3G行動電話所需的高整合度RF電路以全矽化的製程製造，QUBiC4將能夠幫助將3G行動電話的成本壓低到易於吸引用戶使用的網路的範圍，同時藉著大幅降低功率的消耗，也能夠讓3G行動電話本身擁有執行3G網路所提供互動式多媒體應用足夠的電池電源。

「藉由將微波電晶體、高品質被動元件以及高集樍度CMOS邏輯電路整合到全矽化的製程技術，解決了3G產品所需低成本、高效能RF晶片在設計上的主要難題。」Cahners In-stat Group分析師 Allen Nogee指出， 「對製造商來說， 飛利浦半導體的QUBiC4製程技術就代表了一個高效能，但卻低風險的3G RF 解決方案。」

此外飛利浦指出這項新製程所達到的卓越MHz/mW比更顯得特別重要，可以在不影響手機電池使用時間的情況下達到3G行動電話網路所需的更高RF頻率，並且能夠將更加複雜的RF電路整合到QUBiC4晶片的設計上，如Tx, VCO或RF功率放大器以及影像 拒斥混波器、多相IF濾波器與fractional-N合成電路等等，能夠降低生產多模式 (multi-mode)手機的零件數，而零件隔離技術同時也提供了能夠處理3G 系統全雙工(同時收發)需求的單晶片收發器，同時更開啟了單晶片多模式3G收發技術，例如單晶片GSM/UMTS 或CDMA/CDMA-2000收發器的可能。
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