账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
锁定物联网应用 格罗方德推22FDX低功耗平台
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2016年11月02日 星期三

浏览人次:【22391】

物联网(IoT)商机无限。针对物联网低功耗晶片需求,国外晶圆代工大厂GlobalFoundries(格罗方德)推出了22FDX平台,其性能表现与FinFET(鳍式场效电晶体)类似,成本与28nm(奈米)接近,且拥有超低耗电,以及超低漏电等优点。

Globalfoundries技术长Gary Patton表示,FinFET虽是一个不错的选择,但由于设计复杂,加上成本较高,且须多重曝光,对于务联网相关装置厂商而言负担过重。
Globalfoundries技术长Gary Patton表示,FinFET虽是一个不错的选择,但由于设计复杂,加上成本较高,且须多重曝光,对于务联网相关装置厂商而言负担过重。

Globalfoundries技术长Gary Patton表示,FinFET虽是一个不错的选择,但由于设计复杂,加上成本较高,且须多重曝光,对于务联网相关装置厂商而言负担过重;这一类的厂商的要求在成本、功耗、性能表现上只须达到平衡即可。所以对于他们而言,22FDX会是一个较好的选择。

Patton说明,22FDX为一项FD-SOI的技术,只需要28nm FinFET制程的成本,即可得到相同的效能。成本低廉且功耗需求小于0.4V,漏电值约只有1pA;其是由软体控制的基体偏压(Body-bias),可在单一晶片上整合射频(RF)功能,节能省电,对于物联网装置而言是相当合适的选择。

据了解,22FDX是将Oxide Layer(薄型氧化物质层)与Silicon Layer(矽层)堆叠在一起,如此一来,即可改善Short Channel(短通道效应)。

Patton进一步表示,在2016年9月时,该公司也宣布将eMRAM技术加入22FDX平台当中,用以提升晶片写入速度,以及提高续航能力。未来预计也会将eMRAM推展至FinFET制程当中。

Patton认为,eMRAM技术可以提升视觉处理还有3D绘图能力。为了推行此一技术,该公司日前也建立起相关的生态圈-FDXcelerator。此一生态圈中有分别来自EDA、IP、ASIC等领域的合作伙伴,且近期预计还会增加六至七个盟友。

另一方面,GlobalFoundries在14奈米FinFET制程进入量产之后,随即宣布下一阶段将直接投入7奈米制程的相关研发,直接跳过了10nm制程。对此,Patton说明,10奈米制程可提供给客户的价值并不高。 10奈米制程只能算是半个节点,而14奈米直接转入7奈米可以提供客户整个节点的扩充。

据悉,相对于14奈米,7nm制程逻辑密度可以达到17M gates/mm2以上,且性能表现可大于3.5GHz A72,也就是说比14nm更多了30%。

關鍵字: 22FDX  FinFET  FD-SOI  GlobalFoundries 
相关新闻
行动通讯与高速介面双主题同步 安立知年度盛会引领通讯量测技术潮流
爱德万测试:半导体长期趋势不变 测试维持健康荣景
高通为台湾文化科技5G创新应用开启全新里程碑
爱立信:5G在全球经济挑战中持续增长
Ansys标准签核工具通过GlobalFoundries 22FDX认证
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 未来无所不在的AI架构导向边缘和云端 逐步走向统一与可扩展
» 延续后段制程微缩 先进导线采用石墨烯与金属的异质结构
» 提升供应链弹性管理 应对突发事件的挑战和冲击
» 专利辩论
» 碳化矽基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B149AU2ASTACUKY
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw