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胜阳成功试产砷化镓芯片
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2000年05月21日 星期日

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无线通信持续发烧,GaAS砷化镓磊芯片成为全球当红炸子鸡,继博达、全新量产HBT磊芯片后,胜阳光电日前宣布以有机金属气相磊晶成长法(MOCVD)制程试产成功砷化镓磊芯片,现接受美国大厂质量验证中,预计今年第三季后将可大量投产。

GaAs砷化镓磊芯片在历经1年的投入研发后,已宣布试产成功。由于国际磊芯片严重缺货,该公司除原有2台4吋MOCVD生产机台已投产外,六月前将另有2台机台也将到位,产能将成长1倍;该公司估计,以目前每台月产能1000片计,第三季后,总月产能将达4000片。在产能逐渐稳定成长下,该公司计划明、后年各再引进5台机台,并于公元2003年将生产线扩充至19条。

關鍵字: GaAS  砷化镓磊芯片  有機金屬氣相磊晶成長法  MOCVD  胜阳光电  其他電子邏輯元件 
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