TSV(矽穿孔)技术在3DIC中,可谓扮演相当吃重的角色,由于摩尔定律的关系,半导体制程的不断突破,晶片业者不断提升电晶体密度,同时又面临晶片尺寸极为有限的情况下,水平面积毕竟还是有其极限,所以半导体业者们才从垂直方向下手,以整合更多的电晶体,进一步提升晶片整体效能。

Veeco PSP技术长Laura Rothman Mauer

Veeco属于半导体沉积与蚀刻设备供应商，在该设备市场中，属于领导角色，有鉴于市场中诸多半导体业者陆续将TSV投入量产，如先前为人所熟知的Xilinx（赛灵思）、美光、海力士与三星等，都是明显的例子。 Veeco PSP技术长Laura Rothman Mauer指出，TSV虽然能陆续量产，有助于半导体整体市场的发展，但是，目前TSV量产成本过高仍是不争的事实，有鉴于此，Veeco尝试从设备端下手，希望能为客户降低量产的单位成本，进一步为TSV能被更多领域所使用。

Laura Rothman Mauer进一步谈到，Veeco所采取的作法，仅是针对TSV整体生产流程中的薄化与露出流程，加以强化，将过去传统的CMP（化学机械研磨）、电浆蚀刻设备、矽厚度量测与清洗工具等四道制程，整合在单一设备上，与此同时，也取代传统的CMP作法。

此一设备主要是采用湿式蚀刻制程，Veeco也是目前产业界第一家推出该技术的设备业者。采用湿式蚀刻制程，可以让晶圆表面更加光滑与清除磨痕，矽厚度的轮廓也能均匀展现，而在显影剂的使用上，也采用全新的SACHEM Reveal Etch，以让TSV的显露能更均匀，也不会对衬底氧化层或是含金属通孔造成破坏。

回到前面所谈到的降低单位成本，Laura Rothman Mauer引述第三方机构，SavanSys的资料指出，采用传统的基准干蚀刻（包含CMP）与Veeco的湿式蚀刻制程，两者在良率上几乎没有差异，但在成本方面，以单片晶圆计算，前者约为美金68.5元，后者则为61.84元。她也强调，尽管湿式蚀刻整合既有的四道制程与设备，但前后的设备整合仍然不会有问题。

至于目前在市场上，是否还有其他竞争对手环伺？ Laura Rothman Mauer目前Veeco在湿式蚀刻制程仍是居于领头羊的地位，但她也表示，先前Lam Search先前发表过关于湿式蚀刻的论文，所以也不排除未来有机会推出机台设备到市场上。