全球手机用ic订单已自上月起开始回流,估计在第四季就会明显好转,为能配合客户,稳懋已决定于12月将月产能提高至1500片,明年规划年产能将按照原定规划增加为30000片,而晶圆二厂计划也预定在明年展开。另一方面,由于采E-MODE技术的pHEMT制程已渐成熟,公司预定将HBT与pHEMT比重,从今年七比三在明年调整为六比四。
稳懋表示,7月起砷化镓晶圆代工的成长率已回归平衡点,8月更出现成长。也因此,公司对第四季砷化镓晶圆代工景气转趋乐观,预估今年12月时月产能将从目前的5、600片激增至1500片。
而在客户对明年产能需求提高下,稳懋也指出,虽然目前规划年产能高达10万片的晶圆一厂,必须至2005年才会达到产能满载水平,不过公司已开始规划明年晶圆二厂的建厂动作。
此外,稳懋原先所规划HBT与pHEMT七比三的比例,也将反应市场需求而调整为六比四。稳懋表示,由于现有HBT制程的功率放大器在工作电压的特性上,有无法降至三伏特以下的限制,但随着手机逐步朝高频发展的趋势,对于省电的要求也越来越高,因此公司已投入最低能将工作电压降至1.5伏特水平的EnchanceMode pHEMT制程,预计明年第二季可进入量产。