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微影技术再添喜讯 157奈米突破瓶颈
预计未来导入65奈米线宽

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2002年09月20日 星期五

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全球半导体技术联盟于今年3月对外表示,157 奈米出现物性技术瓶颈,将延后半导体厂进入70奈米米制程的时程。但是近日举办的第三届157奈米微影技术国际座谈会,会中有专家指出,157奈米光学微影技术的主要瓶颈已克服,而且现在半导体产业已计划在65奈米线宽里,导入157奈米微影技术;相关供货商预计2004年,将推出首台157奈米扫描机。

今年年初时有业者表示,目前业界的90奈米制程,仍以193 奈米微影设备为主,预计2004 年才能真正量产;157奈米设备最外为2005年才能试产,到时相关的所有物性瓶颈,将能获得解决。然而今年第三季157奈米已有所突破,证明157的后续发展时程需再做调整。

1965年摩尔博士曾以微处理器的晶体管密度,每18个月将增加一倍,此即半导体产业著名的「摩尔定律」,然而要跟上此定律,必须不断提升制程技术,其中的关键技术即为微影。业界对微影技术的看法各有诠释,有业者认为波长157奈米氟(F2)雷射为未来市场主要光源,日本半导体产业开发目标则锁定在VUV(Vacuum Ultra-Violet)和EPL(Electron Projection Lithography)。

關鍵字: 157奈米  70奈米  65奈米  90奈米  193奈米  摩尔 
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