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霍尼韦尔与 Cabot签署专利相互授权协议
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2006年01月03日 星期二

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霍尼韦尔旗下的电子材料部宣布已与 Cabot 公司针对半导体产业的钽(Ta) 材料与产品,签署一项专利相互授权协议。本协议让钽金属供货商 Cabot 公司与霍尼韦尔公司(专业制造用于生产半导体芯片的物理蒸气沈积法 (PVD) 溅镀靶材)双方能够更广泛的利用钽专利组合,为制造半导体的客户提供更佳的服务。合并的专利组合包括14项与生产高纯度钽金属和溅镀靶材相关的专利。

霍尼韦尔电子材料部的副总裁兼总经理Barry Russell表示,「这项协议对霍尼韦尔和 Cabot 两家公司而言,都具有非凡的意义,但更重要的是我们的客户将是这项协议的最大受益者。透过这项协议霍尼韦尔能够提供最先进的钽金属应用技术给半导体厂商,生产最优势的芯片。」

關鍵字: 霍尼韦尔  Barry Russell 
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