應用材料宣佈，台積電（TSMC）已驗證應用材料所推出具有分耦式電漿氮化（DPN）技術性能的Centura Gate Stack閘極堆疊系統，該系統成功運用於台積電所有65奈米電晶體生產製程。該技術有效協助台積電在增進元件設計速度的同時，達成65奈米等效氧化層厚度(EOT)的縮放比例目標。

台積電先進模組技術研發處資深處長梁孟松博士表示，應用材料的單晶圓閘極堆疊系統，對於台積電先進電晶體製造的產業地位，十分重要。這套具有分耦式電漿氮化（DPN）技術的閘極堆疊系統，有助於縮小電晶體的比例，以及提升氮氧化閘極介電質常數，以迎合65奈米世代生產高性能與低耗電產品時，量產所需的高生產力要求。透過應用材料的硬體設備與專業製程技術，結合台積電的整合與製造技術，加速達成此項閘極堆疊技術的執行。

應用材料的閘極堆疊系統在Centura平台操作上，藉由整合DPN技術、Radiance RTP快速昇溫處理、現場蒸氣產生(ISSG)的氧化技術，以及複晶矽沈積製程技術，提供薄膜分界面控制性能。台積電的晶圓廠已開始運用應用材料300mm Centura 閘極堆疊系統，不同於其他的閘極氮氧化技術，應用材料的DPN技術是使用電漿原料來創造低能量的電漿，因而產生精確的氮離子分佈控制。